他在两家主要蚀刻设备制造商的独特和成功经验，CCP蚀刻设备使他能够升级对应于不同技术节点的蚀刻机。2004年，他辞去应用材料副总裁一职，回到中国目前，中微半导体设备有限公司研发的等离子清洗机CCP蚀刻机，采用超高频和低频混合射频解耦的无功等离子源，独特的多反应腔双反应平台系统，在蚀刻28nm逻辑低介电材料和存储器介电材料方面取得突破性进展，并进入市场。
有几种情况:A、电容封装会导致寄生电感;电容带来一些等效电阻;电源引脚和解耦电容之间的导线会引入一些等效电感;接地引脚和接地平面之间的导体会引入一些等效电感。由此产生的效果:a .电容在特定频率会产生共振效应，CCP蚀刻设备它产生的网络阻抗会对相邻频段的信号产生较大影响;等效电阻(ESR)也会影响高速噪声解耦所形成的低电阻路径。以下总结了这对数字设计师的影响:A.设备上的Vcc和GND引脚的引线需要被视为小电感。
中国大陆已成为全球最大的铜复板生产地，CCP蚀刻全球工业产值份额达到65%，但大部分产能停留在低端领域，国内铜复板的平均单价远低于世界其他国家。CCL供应链透露，铜箔目前处于严重需求状态，交货期不断延长，价格也一波接一波上涨。这一次，大多数业内人士认为，电动汽车和5G的机遇已经到来。在新的铜箔生产能力建立起来之前，供应短缺可能会成为2-3年的日常问题。
除了通道通孔生产的中高宽高比带来的三个主要挑战之外，CCP蚀刻接触孔蚀刻需要提供更高的蚀刻停止层选择比。通常使用电容耦合等离子体蚀刻(CCP)来完成这一过程。与通道透孔蚀刻的工艺要求相似，接触孔蚀刻也需要比逻辑蚀刻工艺更强的偏置功率，通常需要增加三倍以上。同时,低频率偏差权力是用来提供离子自由程长,以提高等离子体腐蚀的能力达到接触孔的底部,以避免变形的底部接触孔的侧壁,并降低蚀刻停止的可能性。
CCP蚀刻
成像系统增加红外过滤装置清洁技术的应用:红外过滤器前面的涂层表面通常都是用超声波清洗机和等离子设备清洗的，但要想对基材表面得到超净，需要进一步用等离子清洗，不仅可以去除基材表面看不见的有机残留物，还可以利用等离子体活化和腐蚀等手段对基体表面进行腐蚀。手机摄像头模块(CCM)是手机内置的摄像头/摄像头模块。按键通过摄像头镜头、icCOMS、PCB /FPCpcb电路板和RF连接器连接到手机主板上。
表8.2不同流量比Cl2/CH4/N2/Ar的刻蚀结果runno .Cl2/sccmN:/sccmAr/sccmEtchRate/(m/min) selectivitinp:SiO2RMS/nm150101.11328.7:1.>2525370.49311.5;118.2235550.40713.0:1.15.8845730.3229.35:1.1.0758350.76817.0:1.>以上方法均在ICP机上实现，较早的研究也在RIE机上进行，探讨压力对磷化铟蚀刻的影响。
进口美国电子流量计，由模拟量输入输出，量程0 ~ 200sccm可在量程内无级调节，根据质量流量计的特殊工艺要求可采用PLC PID调节并实现真空度的控制。根据特殊工艺要求可采用干式泵、尾气处理设备、滤油器、滤油器回油装置等电极结构高离子通量设计可以提高等离子体的均匀性和稳定性。。
而含有特定官能团的数据会受到氧或分子段运动的影响，使外部的特定官能团消失。因此，等离子体处理数据的表面活性具有一定的时效性。低温等离子体清洗机graftingIn等离子体表面的数据的修改,由于特定的影响粒子在等离子体表面上分子,表面分子链分裂成新的特定的官能团如自由基和双键,然后表面交联occur.4接枝反应。
CCP蚀刻机器
焊接后，CCP蚀刻机器会出现空腔率增大，导致接触电阻增大，热阻增大，粘结强度下降。除射频清洗外，还可以对晶圆片进行硫化银和氧化处理。用铜等方法去除银很难不损伤芯片。采用Ap-0清洗机，清洗剂采用氩气。机身，清洗功率200~300W，清洗时间200~300s。容量400cc，通过射频等离子芯片背面，硫化。去除银和氧化银，确保贴片质量。从银板背面去除硫化物的典型方法。厚膜基板导致有机污渍的去除。
机身，CCP蚀刻机器清洗功率200~300W，清洗时间200~300s。采用射频等离子芯片背板，400cc容量，硫化。去银、氧化银，确保贴片质量。从背银板上去除硫化物的一种典型方法。除去厚膜基板导向带上的有机污渍。如果发生这种情况，混合电路将使用锡膏、粘合剂和助焊剂，以及有机溶液代理与其他材料联系。在厚膜基板上的有机物导带的表面，例如有机污物导带。胶粘剂二极管的使用会改变二极管的导通电阻。
ccp蚀刻机
