公司基于十多年的表面处理设备制造行业经验以及与国际知名等离子配件厂家的良好合作，IC等离子体蚀刻机设计开发了BP-880系列真空等离子表面处理设备。 产品质量及表面处理效果可完全替代进口产品。一举打破同类产品完全依赖美、日、德等国进口的局面。以高品质、高性价比的设备和高效的售后服务取胜。在国内LED和IC封装厂商的一致好评和支持下，目前位居同行业之列。市场占有率第一。简要分析用于修饰材料表面的等离子体。
7.【问题】电路板上，IC等离子体表面处理信号输入插件在PCB的左端，MCU在右侧，所以layout时稳压电源芯片放在靠近连接器的地方（IC经过a比较长的电源路径). 输出5V. 把电源IC放在中间的右边(电源IC的输出5V线到MCU比较短, 但是输入电源线比较短. 长PCB板）？还是有更好的布局？ 【解答】一、所谓的信号输入插件是不是模拟设备？对于模拟设备，建议电源布局尽量减少模拟组件的信号完整性。
二、等离子清洗机的特点： A、等离子处理设备的清洗是将压缩空气或工艺气体在高频高压下活化成等离子体，IC等离子体表面处理等离子体是物理或化学的有机物（organic）。 .物质和小颗粒。形成带有细小颗粒的洁净表面，清洗彻底，无残留。 B.使用等离子清洗成本低，废气少，环保。 C。等离子处理设备可以安装在自动化装配线上并与其他数控系统交互。连接且易于监控。 D. 等离子处理设备为干式墙，通过“促进效果”达到去除污垢的目的。
SiC表面H2等离子处理器加工技术 SiC表面H2等离子处理器加工技术：SiC材料是第三代半导体器件，IC等离子体表面处理具有高临界渗透静电场、高热导率、高载流子饱和漂移率等特点。高耐压、耐高温、耐高波和耐辐射的半导体器件元件可实现光伏材料无法实现的高输出和低损耗的优异性能。这是高端半导体半导体元件的前沿。
IC等离子体蚀刻机
此外，这种方法环保，等离子清洗不需要使用危险的化学溶剂，也不用担心环境污染，可以节省大量成本。。3D逻辑与内存时代等离子清洗机低温等离子刻蚀技术演进 3D逻辑与内存时代等离子清洗机低温等离子刻蚀技术演进：继2014年NAND量产后，正式进入3D时代（3）我冲进了NAND）。 2015年，Logic产品也进入量产三维结构的鳍式晶体管。
在用等离子清洁器进行等离子处理后，消除 CLS 的高能尾部或 CC-H 污染，使高能制备更容易。 - 高性能欧姆接触和 MOS 器件。等离子处理后 CIS 的高能尾消失了，由于 C/CH 化合物的存在，发现未经等离子处理的 SIC 表面的 CLS 峰与等离子处理后的 CLS 相比偏移了 0.4 EV。在表面上。未经等离子体处理的SI-C/SI-O光谱的峰强度比（面积比）为0.87。
与等离子蚀刻机相比，水洗通常只是一种稀释过程。与CO2清洗工艺相比，等离子刻蚀机不消耗其他材料。与喷砂清洗相比，等离子蚀刻功能不仅可以在线整合表面突起，还可以处理材料的完整表面结构。不需要额外的空间。运行成本低，环保环保预处理表面处理工艺如下：用于塑料、金属材料、夹层玻璃、纺织、电子产品、新能源、航空等材料的表面活化。
形成活性表面；清洁灰尘和油污，精细清洁并消除静电；提供功能性表面，通过表面涂层处理提高表面附着力，等离子蚀刻机对表面附着力可靠 提高性能和耐久性；差；由于表面张力液相增加，固体基材的表面能增加，其附着力越好，表面张力越低。需要固体表面能和聚合物表面处理。塑料制品通常需要粘在金属或其他塑料制品上或印在塑料制品的表面上。要顺利完成此操作，材料表面必须用粘液或墨水润湿。需要电晕处理和等离子蚀刻处理技术。
IC等离子体表面处理
等离子蚀刻机制是由ICP射频形成的输出到环形耦合线圈。而今天详细使用表面活化来介绍等离子体的另一个作用：蚀刻。什么是等离子蚀刻？腐蚀是半导体器件工艺、微电子IC制造工艺和微纳米制造阶段中非常重要的一步。通过化学或物理方法从硅片表面选择性去除多余材料的步骤。基本目标是在涂层硅晶片上正确复制管芯图案。等离子刻蚀分类：干法刻蚀和湿法刻蚀。
等离子清洗机的机理主要是依靠等离子中活性粒子的“活化”来达到去除物体表面污垢的目的。从反应机理来看，IC等离子体蚀刻机等离子清洗通常涉及以下几个过程。无机气体被激发成等离子态，气相物质吸附在固体表面，吸附的基团与固体表面分子反应形成产物分子，产物分子分解形成气相，反应残渣从表面脱落。等离子清洗技术的最大特点是无论被处理的基材类型如何，都可以进行处理。
