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等离子清洗机设备蚀刻后硅锗沟槽界面对西格玛型沟槽形状及硅锗外延生长的影响： 众所周知，等离子清洗机设备硅的干法蚀刻过程中会产生大量的高分子副产物。图形密集区反应总量大，因此副产物容易聚集。在图形硅片实验中，图形密集区厚重的蚀刻副产物导致深度相比图形稀疏区浅。这样的深度差异在TMAH处埋工艺后，会变得更加明显，甚至导致无法形成正常形状的西格玛型硅沟槽。
针对IC封装的引线结构放电、芯片键合、塑封的预清洗工艺，大大提高了粘合性能和键合强度，避免了长时间接触引线结构的人为因素造成的二次污染时间是避免增加。长时间批量清洁型腔会损坏刀片。对于体积大、搬运不灵活的汽车零部件，减少搬运环节，降低人员工作强度。在线等离子清洗机的主要结构包括材料挤压结构上下料、材料设置和再生通道上下料、正向系统上下料、传动系统上下料、材料去除。包括组织上下料、反应室。
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