实际上，硅溶胶附着力的提升方法申请的一些障碍体现在以下几个方面： 1.这些方法不能用于去除物品表面的钻头。这在清洁金属表面的油渍时尤为重要。 2、从实际经验来看，不能用来去除太厚的油渍。虽然使用等离子清洁剂去除物品表面的轻微油渍有实际效果，但去除较厚油渍的实际效果却很普遍。首先，当用于去除浮油时，会增加处理时间并显着增加清洁成本。
等离子处理器处理氧等离子体对MIM结构ZrAlO膜电容特性的影响：在过去十年中，硅溶胶附着力的提升方法对各种介电应用中的高 k 介电薄膜的研究在提高高 k 性能方面取得了长足的进步。各方面的电影也在不断增加。是划时代的。高K薄膜的工艺研究正逐渐从沉积物优化扩展到沉积后工艺。在高k薄膜沉积的后处理工艺中，除传统的热处理方法外，利用等离子处理设备进行等离子处理等具有低温特性的工艺越来越受到关注。
因此，硅溶胶附着力差当器件收缩到一定程度时，漏电流不受控制。后来，由于TEOS氧化硅侧壁未能满足工艺需求，0.25微米时代到来了。因此，后来发展为氮化硅侧壁。氮化硅间隔层的蚀刻可以在下面的氧化硅层停止，因此不会影响硅。此类间隔物也称为氮化硅间隔物或氮化硅/氮化硅（SiN氧化物，ON）间隔物。 0.18μm时代，氮化硅侧壁应力过高，降低饱和电流，增加漏电。
用等离子清洗机处理PI表面，硅溶胶附着力差具有以下特点：(1)经过等离子清洗之后的PI表面已经很干燥，不必再经过后续干燥处理(2)使用气体溶剂，不会对PI表面产生有害污染物，是环保的绿色清洗方法；(3)高压电场产生的等离子体没有方向，可以深入PI表面的微细孔眼和凹陷处；(4)清洗PI表面的同时，还能改变PI材料本身的表面性能，提高表面的润湿性能，增加结合力。。
增加硅溶胶附着力
整体均匀加热腔体的电极承载托盘区域进行区域，外壁进行水冷，这是加速腔体周围的真空等离子体处理工艺门的有效途径。许多产品都被有机物污染，例如玻璃表面的油、环氧基聚合物、氧化物（例如氧化银、氧氮化物、光刻胶、焊料残留物和金属盐）。不同的板子和污垢需要采用不同的清洁方法。氧气、氩气、氯基气体、氢气和其他工艺气体的类型和流量控制，用于加速等离子体的目标磁场，以及磁场是否旨在以定向方式加速等离子体。
一般情况下，焊接电路板前应使用化学焊剂。处理。这些化学物质焊接后，必须被电离。如果不采用子方法，就会出现腐蚀等问题。好的焊接通常是通过焊接、连接和焊接来完成的。残留物会被削弱，这些残留物可以通过加压得到。选择性去除。氧化铁层对粘结质量也是有害的。还需要等离子清洗来增强焊接的牢固性。4.利用等离子体刻蚀过程中处理（气体）体的作用，使刻蚀物质变为气相（如用氟气刻蚀硅）。
由于等离子清洗工艺需要进行真空处理，而一般对于在线进行在线或批量生产，所以当等离子清洗装置用于生产线的引进时，必须考虑到正在清洗的工件的储存和转移，特别是当被加工的工件尺寸较大时，对这个问题应该给予更多的考虑。综上所述，可以看出等离子体清洗技术适用于清洗物体表面的油、水和颗粒。快速在线或批量清洗。我们常用的等离子表面处理设备主要是低温等离子表面处理设备。
等离子体在磁场中穿过空间，轰击被处理物体的表面以去除油和氧化物。灰化表面涂有其他化学物质，用于真空等离子体的表面处理、清洗和腐蚀。真空等离子体处理可实现选择性表面改性。真空等离子体与固体、液体或气体一样，是一种物质状态，也被称为物质的第四种状态。
硅溶胶附着力的提升方法
对于等离子清洁器应用，硅溶胶附着力的提升方法最好使用氩气和氢气的混合物。对于容易氧化或还原的材料，材料等离子清洗机还可以颠倒氧气和氩氢气的清洗顺序，达到彻底清洗的目的。常用气体及其作用： 1）氩气：物理冲击是氩气清洗的机理。由于其原子尺寸大，氩气是最有效的物理等离子清洗气体。样品表面会受到很大的冲击。正氩离子被吸引到负极板。冲击力足以去除表面的污垢。这些气态污染物由真空泵排出。
随着BaO添加量的增加，硅溶胶附着力差CH4和CO2的转化率呈峰值变化，在负荷为10%时达到峰值。 C2烃和CO的产率峰形基本发生变化。这表明在一定范围内增加BaO负载量有利于提高催化活性，但负载量过高时，BaO会在Y-Al2O3表面堆积，催化催化剂活性降低。催化剂的焙烧温度影响催化剂活性颗粒的尺寸和表面形貌，并在一定程度上影响催化剂的反应性。
