分别在脉冲电晕等离子体和无声放电等离子体条件下实现了 CO2 重整的 CH4 反应。直接法是将CH4和CO2一步制备C2烃，cob等离子体蚀刻可实现微波、流柱放电、高频等离子体作用下的反应。 LIU 是一种流柱排放法，在特定排放功率下，根据 CO2 和 CH4 的不同摩尔比和甲烷转化率，使用 HE（占总气体流量的 60% 至 80%）作为平衡气体。被采纳。
第二种是等离子体处理装置，cob等离子体蚀刻包括激发电极、激发气体回路等。等离子体发生器发射等离子体，在等离子体的作用下，材料表面呈部分化学键断裂，形成小分子产物，氧化成CO、CO等。这些产品在泵送过程中被泵出，导致表面不平整，材料粗糙度增加。为了提高产品的附着力，可以说可以应用于粘合剂的附着力和电镀，使用等离子清洗机。在将需要粘合的零件通过等离子清洗机之前，可以成功解决粘合问题。
印刷、焊接和喷涂预处理。高分子材料通过N2.NH.02.SO2等清洗设备进行处理。这改变了表面层的化学成分并引入了相应的新官能团（如-NH2.-OH-COOH-SO3H）。这些官能团将聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯等完全惰性的基材转化为官能团材料，cob等离子体蚀刻机器提高了表层的极性、亲水性、附着力和反应性，大大提高了其使用价值。与氧气清洗设备不同，氟气的低温等离子体处理可以将氟原子引入基材的表层，使基材具有疏水性。
随着供气中CO2浓度从15%增加到85%，cob等离子体蚀刻CH4的转化率逐渐提高，从以下结果可以看出转化率。 CO2 百分比变化的峰值。当CO2浓度为50%～65%时，达到24%左右。研究表明，在等离子等离子体的作用下，CO2 对 CH4 进行氧化的一个重要步骤是产生活性物质。即等离子体产生的高能电子与 CH4 和 CO2 分子发生弹性或非弹性碰撞。 CH 不断被破坏。 , CHX (X = 1-3) 产生自由基。
cob等离子体蚀刻机器
CO2 裂解 C-0 键产生活性氧，并与 CH4 或甲基自由基反应产生更多的 CHX (X = 1-3)。自由基。供气中的 CO2 浓度越高，提供的活性氧种类越多，CH 转化率越高。因此，CH转化率与系统中高能电子的数量和活性氧浓度两个因素有关。
CO2 的转化率与高能电子与 CO2 分子的碰撞有关，这种弹性或非弹性碰撞有利于以下情况： (1) CO2 的 CO 裂解生成 CO：CO2 + E * & RARR; CO2 + O + E (4-1) CH4 消耗氧反应性物质有利于反应向右移动。 （2）基态的CO2分子吸收能量，转化为激发态的CO2分子。显然，CO2 的转化主要依赖于前者。
参考模型为：相关信息： 1.--视频等离子清洗机表面SERS预热，有哪些变化？每个过程都需要准确调整。这是确保高产品质量的先决条件。等离子清洗机可以满足汽车行业预处理工艺的要求，例如通过等离子清洗工艺去除制造和有机硅残留物。等离子活化还可用于粘合剂预处理和喷涂，如高性能塑料的等离子蚀刻和等离子涂层作为增粘剂（底漆），消费者对产品的需求不断增加。
半导体杂质的污染及分类在半导体制造中，完成时需要涉及一些有机和无机物质。此外，由于该过程总是由人在无尘室中完成，因此半导体晶片不可避免地会受到各种杂质的污染。根据污染物的来源和性质，大致可分为四类：颗粒物、有机物、金属离子和氧化物。 1.1 颗粒 颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质。这些污染物通常主要通过范德华引力吸附到晶片表面。这会影响器件光刻工艺的形状组成和电气参数。
cob等离子体蚀刻机器
半导体杂质的污染及分类在半导体制造中，cob等离子体蚀刻机器完成时需要涉及一些有机和无机物质。此外，由于该过程总是由人在无尘室中完成，因此半导体晶片不可避免地会受到各种杂质的污染。根据污染物的来源和性质，大致可分为四类：颗粒物、有机物、金属离子和氧化物。 1.1 颗粒 颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质。这种污染物通常主要通过范德华引力吸附到晶片表面。这会影响器件光刻工艺的形状组成和电气参数。
