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使用Cl2/Ar/H2的混合气体,在150℃下虽能获得较好的磷化铟图形,高温度下可以获得光滑连续的图形形貌,但150℃的温度毕竟已经不能算是低温。 2007年清华大学报道了进一步优化气体配比并改善其他条件的方法来克服这些难题,该蚀刻方法可以在室温条件下克服副产物难挥发的难题。因为合适的CH4和氯气的气体配比会形成In(CH)x的副产物,这类副产物较InClx更容易挥发去除。

氧自由基和不饱和键接触等离子体中的反应性粒子以形成新的反应性基团。可用于喷涂和印刷; 3.当原料的表面被等离子体改变时,表面的分子链被切割形成新的分子链,考虑到等离子体中的活性分子对表面分子的影响。氧自由基。双键等反应性基团使表面交联。支化等反应;四。使用等离子体活性气体进行表面聚合时,在原料表面形成冲积层,冲积层的存在提高了原料表面的附着力;五。

为了提高渗透速度,采用渗透前部件外表的高频淬火处理,表面淬火处理后部件表层的组织为马氏体和残留奥氏体,两者都是结构缺陷,此外,部件表层还具有大量应力、位错等缺陷,这些缺陷为之后的低温氮渗透技术提供能量和结构支持另外,部件经表面淬火处理后,表层强度大大提高,降(低)了基体与渗氮层之间的强度系数,改进了渗氮层剥落状况,加强了渗氮层与基体的结合性。

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