平板等离子体刻蚀（平板等离子体刻蚀机器）平板等离子体刻蚀设备

* 曝光能量的高低也会影响质量： 1.能量低，平板等离子体刻蚀曝光不足，显影后抗蚀剂过软，颜色较深，刻蚀时抗蚀剂损坏或浮起，电路损坏。 2. 高能量更容易过度曝光、窄线和清洗曝光区域。显影： 原理：显影是将曝光后的片材用显影液（7.9G/L碳酸钠溶液）与干膜处理，洗去未曝光过紫外光的干膜，保留紫外光。干膜有效地形成电路。影响开发运营质量的因素： 1.显影剂成分 2.显影温度 3.显影压力 4.显影剂分布均匀。

通过调节刻蚀室的压力和功率，平板等离子体刻蚀机器可以控制主刻蚀步骤的各向异性刻蚀，形成侧墙。但是，主刻蚀步骤对底部的氮化硅和氧化硅没有选择比，如果不加控制，会损坏底部的体硅衬底。因此，如果发现等离子体表面垫圈的侧壁蚀刻的主蚀刻步骤的终点监测被暴露，则立即停止蚀刻并切换过蚀刻步骤。在主蚀刻步骤中残留的氮化硅膜通过过蚀刻步骤被蚀刻掉，同时停止在氧化硅膜上，以防止损坏下面的硅衬底。

使用氯气蚀刻InP对温度非常敏感，平板等离子体刻蚀机器温度越高，蚀刻速度越快。但如果温度低，副产物多，不易挥发，所以如果蚀刻总量过大，由于副产物的浓缩作用，蚀刻就会停止（产品难InClx)。以CH4和H2为主要成分的低温刻蚀面临着刻蚀速度慢导致刻蚀停止的现象。因此，如何在低温下实现对InP材料的刻蚀是一个研究热点。一种更常见的方法是将传统的磷化铟蚀刻气体与另一种气体混合。新西兰卡洛塔报告了这方面的早期工作。

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