3、低温等离子表面技术成本低：设备简单，表面改性碳化硅操作维护方便，用少量气体代替昂贵的清洗液，无废液处理成本。 4、低温等离子表面技术的加工更精密。它可以穿透微孔和凹坑内部完成清洁操作。 5、低温等离子表面技术应用广泛：等离子表面处理技术应用广泛，可处理大部分固体。。等离子设备中常用的气体是N2。这种蒸汽主要与在线等离子体结合使用，用于材料表面的表面活化和改性。可以在真空中使用。 N2对提高材料表面的润湿性有一定的作用。
在线等离子体在清洗机等离子体中，表面改性碳化硅放电可产生处理硅油所需的活性基团，控制轰击硅油的离子能量。将等离子体反应与离子轰击效应相结合可以改变硅油的结构，得到具有光致发光特性的改性硅油或非晶态Si：C：O：H薄膜。。在线等离子清洗机系统设备的机械结构与功能；等离子清洗机作为一种精密干洗设备，能有效去除IC封装过程中的污染物，改善材料表面性能，提高材料表面能。
火焰处理后，表面改性碳化硅工件表面羰基的产生，提升了产品表面的极性，工件的表面张力能达到42~48dynes/cm，使得之后喷涂上去的底漆，能够快速延展开的同时，又能与底漆中的聚丙烯基团发生反应，形成牢固的化学键，从而有效提升油漆的附着力。同时，基材表面张力的提升，也能使油漆能更好的铺展在基材表面，从而提升油漆附着力。此方法快速简便,缺点是耐老化性差,火焰处理工艺难以控制。
因此，高聚物表面改性处理的定义低温等离子体处理后界面结合强度可明显提高，而低温等离子体处理制得的胶合板结合强度可达0.78MPa，提高20%，达到国家标准。这说明在粘接强度达到标准的情况下，常压低温等离子体处理可以减少上胶量，降低了生产成本。 等离子体中的高能粒子高速撞击木材表面，降解木材细胞壁中的高聚物。这些表面不规则的小刻痕增加了杨木的表面粗糙度，促进了改性豆胶在杨木单板表面的渗透，增加了界面结合强度。
表面改性碳化硅
目前，上述粉末等离子体处理设备技术的实用或接近实用的应用包括：聚合物表面活化，提高聚合物表面与其他材料的粘附性，如与着色剂或油漆的粘附；食品或药品包装用透明介质阻隔膜，阻隔氧气、水蒸气或其他芳香气体；可用于羊毛或天然纤维的防起球起毛处理，增加纺织品的透湿性；人造血管或导管用抗栓塞、抗菌涂料；刀具硬化土层、气液敏感膜元件等。。
在等离子体条件下，可以在产品工件表层实现聚合，甚至甲烷、乙烷、苯等传统聚合条件下不能聚合的物质，在plasam条件下可以在产品工件表层实现交联聚合。这种高聚物层可以非常致密，并与基底结合得非常牢固。在国外塑料啤酒瓶和汽车油箱中，等离子体聚合在这样一层致密层上，以防止微量泄漏。高聚物生物医学材料的表层也可以根据这种致密层防止塑料中的增塑剂和其他有毒物质扩散到人体组织中。。
其中，有机旋涂多层掩模技术中使用的旋涂为碳氢聚合物，有机材料的减反射层为含硅碳氢聚合物，两者均为液态，低温烘烤形成固态掩模。之所以称为软掩模技术，是因为它被集成到光刻机中，并且过程非常快。用于高级图形材料的多层掩模也称为硬掩模技术，因为它们是高级图形材料（非晶碳膜）的化学气相沉积作为抗反射层和电介质（如氮氧化硅）膜。
由于H是轻离子，它不会像HE那样蚀刻氮化硅膜，并且用于膜处理。电容耦合等离子刻蚀机可以通过调整偏置功率和注入时间来调整氮化硅表面膜层的氢浓度和注入深度。在氮化硅薄膜中，H的浓度与随后的氢氟酸蚀刻速率密切相关。通过控制氮化硅膜中的氢浓度，实现了特性变化的氮化硅膜与体氮化硅膜之间的刻蚀选择性。对于等离子框机刻蚀在硅锗材料处停止的侧壁刻蚀，这种原子层刻蚀方法可以控制6&ARING中的硅存储损失。。
表面改性碳化硅
下图显示了碳化硅 SiC、氮化镓 GaN、硅 Si 和砷化镓 GaAs 的一些参数。 SiC GaN 和 GaN 之间的带隙远大于 Si 和 GaAs 之间的带隙，表面改性碳化硅相应的本征载流子浓度小于 Si 和 GaAs 的带隙。宽带隙半导体的高工作温度高于第一半导体。以及第二代半导体材料。介电击穿电场强度和饱和热导率也远高于Si和GaAs。
因此，表面改性碳化硅在一些合适的条件下，探针法只对等离子体产生较小的局部干扰。下图显示了一个探头的电压和电流的定义。在具体诊断过程中，探头相对于地的偏置电压为VB，而等离子体相对于地的电位为&phi；P.当探针电压Vb=&phi时；P，探针与等离子体处于同一电位，它收集的电流主要来自可移动电子。
