化学键解离能/(kJ/mol)解离能/(eV/mol) CH3—CH3 367.8 3.8C2H5—H 409.6 4.2CH2 = CH2 681.3 7.1C2H3-H434.74.5CH≡CH964.910.0C2H—H501.75.2 纯等离子体表面处理设备下C2H6转化反应的主要气相产物为C2H4、C2H2、H2和CH4，晶圆plasma表面处理机器固体产物为积碳。
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这可以增加表面能。清洁管道时，晶圆plasma表面处理机器增加表面积很重要。这促进了良好的结合。等离子表面清洗活化工艺：氧等离子塑料表面张力的提高是明显的。原因是氧自由基的反应性高，形成极性键，是涂液的附着点。通过这种方式，增加了表面张力，加速了润湿并提高了附着力。管线等离子清洗机的表面处理使生产率加倍 管线等离子清洗机表面处理使工作效率加倍：管线的表面张力低，不能很好地粘附在涂漆表面上。
水性，晶圆plasma表面处理机器提高胶粘表面的表面能，不损伤表面，不引起涂层剥落或表面涂层。等离子处理后，可以提高材料的表面张力，提高处理后材料的结合强度。通常使用：1。等离子表面活化/清洗； 2.等离子处理后的键合； 3.等离子蚀刻/活化； 4. 5.血浆去角质；等离子涂层（亲水、疏水）； 6. 加强键； 7.等离子涂层 8. 用于等离子等。灰化和表面改性。
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经过一段时间的负栅偏压和温度应力后，Si/SiO2New PMOS界面出现界面态，界面电位升高，空穴俘获产生的界面态和固定电荷带正电，阈值电压向负偏移方向。相比之下，NMOS 受 PBTI 的影响要小得多，因为它的界面和固定电荷极性相互抵消。随着新的技术节点的出现，随着集成电路功能尺寸的缩小、栅极电场的增加以及集成电路工作温度的升高，NBTI 已成为集成电路器件可靠性的主要破坏因素之一。
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