硅大规模集成电路和半导体激光器的发明，外延片plasma表面清洗机器使世界进入了以微电子和光电子技术为基础的信息化时代，极大地促进了社会经济的发展。 6 分子束外延的发明 制造双异质结激光器的一项重要技术是分子束外延。 1968年，诺基亚贝尔实验室的卓一和发现，通过在超高真空容器中精细控制束流的大小和时间，可以根据需要生长不同层和不同类型的半导体材料。外延技术。图 11 显示了分子束外延设备的示意图。
硅衬底表面低温等离子动力氢等离子原位清洗 硅衬底表面低温等离子动力氢等离子原位清洗：硅表面清洗技术由两部分组成：衬底装入沉积系统前的异位表面清洗和外延前沉积系统中的原位清洗。广泛使用的碱性和酸性过氧化氢清洗液可以去除硅片表面大部分被污染的金属离子和含碳基团，外延片plasma活化机形成一层几乎不含碳的薄氧化层。这在最小化中起着非常重要的作用。大气和系统中的含碳基团对硅表面的污染。
这很重要，外延片plasma表面清洗机器因为锗多层结构通常外延生长。,且期间的感应层和中间层结构一般采用锗合金材料，选择高倍率工艺可以更好地控制此类多层结构的刻蚀。我们知道CF4也是一种高反应性的化学蚀刻气体。由于这种效应，当向 CF4 添加氧时，蚀刻选择性很高。这是因为氧气与底层材料 (SN) 发生反应以促进表面保护膜的形成，从而防止进一步蚀刻并提高选择性。用CF4蚀刻的形式似乎也很出色，但氯蚀刻的优点是损伤少，适用于界面层和沟道层。
这类材料结构的表层可以向外延伸，外延片plasma表面清洗机器同时在材料表层形成活性层，可以用橡胶印刷。、粘接、涂装等作业。使用等离子清洗机进行橡胶表面处理具有操作方便、清洗效果好、工作效率高、运行成本低等特点。用等离子清洗装置处理会引起材料表面的各种物理化学变化、腐蚀，并形成致密的交联层，从而产生亲水性、结合性、染色性，提高生物相容性，改善电性能。
外延片plasma表面清洗机器
与低氢灰化工艺相比，高氢灰化工艺可以更有效地去除硅沟槽表面的Si-C键，达到改善SiGe外延缺陷的目的。..等离子清洗设备的氧化灰化工艺也可以在增加氧化量的基础上达到改善外延缺陷的目的。然而，这样的工艺导致沟槽表面上的氧化硅层更厚。如前所述，去除灰化产生的氧化硅层的工艺也会破坏浅沟槽隔离的氧化硅层，影响器件的性能，所以采用氧化灰化工艺硅锗工艺。
在顶部，如果偏移侧壁的厚度不足以保护多晶硅，在随后的硅锗外延生长中，硅锗外延可以在多晶硅顶部生长，形成缺陷，导致器件失效。会更高。当多晶硅的极限尺寸小于硬的。使用掩模膜可以大大降低出现此类缺陷的可能性，从而提高产量。同样，如果多晶硅在刻蚀后出现严重的底部长腿，那么在PSR刻蚀中底部偏移的侧壁间隔也会消耗更多，后续的硅锗外延会在多晶硅底部生长。硅锗缺陷。
此外，由于该过程总是由人在无尘室中完成，因此半导体晶片不可避免地会受到各种杂质的污染。根据污染物的来源和性质，大致可分为四类：颗粒物、有机物、金属离子和氧化物。颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质。这种污染物通常主要通过范德华引力吸附到晶片表面。这会影响器件光刻工艺的形状组成和电气参数。去除此类污染物的主要方法是通过物理或化学方式对颗粒进行底切，逐渐减小与晶片表面的接触面积，最后去除颗粒。
生物滴流过滤器的原理与生物过滤器类型相同。同样，使用的过滤介质是惰性材料，例如不提供营养的聚丙烯颗粒、陶瓷、木炭或塑料。只有被一些恶臭物质分解的微生物附着在填料上，生物滤池中的微生物相互混合，同时滤料中的有机物不被消耗。不需要过滤材料。通过更换它，可以减少压力损失，并且可以轻松控制运行条件。它是一种营养物质，受温度和湿度影响较大，操作复杂，生物菌生长需要时间，损伤后恢复时间长。
外延片plasma活化机
随着气体变稀，外延片plasma活化机分子间的距离变大，分子和离子的自由运动距离变长，电场的作用使它们碰撞形成等离子体，等离子体的活性越来越高。暴露表面上可能破坏其能量的所有化学键 不同的气体等离子体具有不同的特性。例如，氧等离子体具有很强的氧化性，可以将光光反应产生的气体氧化，从而达到清洁的效果。蚀刻气体等离子体具有优良的氧化特性。由于其各向异性，可以满足蚀刻的需要。
IC集成电路制造等离子清洗在封装技术中的应用 IC集成电路制造等离子清洗在封装技术中的应用：在国内集成电路产业链中，外延片plasma表面清洗机器集成电路封装产业是支柱产业。由于集成电路器件尺寸的不断缩小和计算速度的不断提高，封装技术已成为一项重要的技术。产品质量和成本受包装过程的影响。
