它会产生一些非挥发性产物，影响表面改性效果的因素没有时间解吸和沉积在基材表面。此外，一些离子会物理影响基板。冲击会破坏表面网格阵列，在基板表面产生孔洞和凹痕，并降低材料的表面质量。同时，由于硅和碳化硅的存在，原始衬底表面的结构并不均匀。当等离子处理器处理被蚀刻材料的表面时，两相边界、孔洞和凹坑的不均匀性导致光在材料表面发生散射，也增加了材料对光的吸收。它降低了材料表面的反射率，增加了表面粗糙度。。
等离子体清洗技术被认为是最有效的处理方法，影响表面改性效果的因素它具有表面平整、清洗有机物和表面活化、降低平均粗糙度、增加表面极性和提高工作功能的功能。由于ITO可以直接与有机膜接触，因此ITO的表面特性，如表面有机污染物含量、表面电阻、表面粗糙度和工作功能等，对整个器件的性能起着重要的作用。改变ITO的表面特性会影响OLED的性能。等离子体清洗技术通常用于改变表面粗糙度，提高工作功能。等离子体可用于ITO玻璃表面的积极处理。
在使用脉冲电晕放电等离子体等离子体研究甲烷转化反应中，影响表面改性效果的因素等离子体脉冲峰值电压、针板反应器电极间距和甲烷气体流速是影响甲烷转化（Xcu4）和C2烃的因素。选择性 (Sc2) 和产量 (Y)c1)的主要因素。。使用等离子清洗机有效地将产品产量提高到 99.8% 并减少浪费。等离子清洁剂可以根据不同的工艺和产品对表面进行处理和清洁或活化表面。两者都增加了涂层的附着力，直接影响了工艺的成本、效率、产品安全和质量。
蚀刻是定义器件尺寸、厚度、形貌的关键工艺，影响表面改性效果的因素对参数性失效影响很大，例如由于机台维护不当而导致栅极尺寸出现大的偏差，就会产生良率损失，功能性失效往往是由晶圆上的缺陷引起，缺陷包括晶圆上的物理性异物、化学性污染、图形缺陷、晶格缺陷等。Plasma设备等离子体蚀刻作为半导体制造中的关键工艺对功能性失效也有很大影响，例如反应腔室掉落颗粒物在晶圆表面导致蚀刻被阻挡，蚀刻时间不够导致通孔与下层金属断路等。
影响表面改性的因素
利用等离子体发生器技术对半导体材料进行晶圆清洗已经成为一种成熟的工艺；在半导体材料生产中，几乎每道工序都需要清洗，循环清洗的质量严重影响设备的性能。正因为循环清洗是半导体制造工艺中重要且频繁的工序，其工艺质量将直接影响设备的合格率、性能和可靠性，所以国内外各大公司和研究机构持续开展清洗工艺研究。最新干洗技术采用等离子技术，具有低碳环保的特点。
寄生电容引起的上升和延迟的影响不太明显，但 EDA365 电子论坛鼓励设计人员在多次使用过孔跟踪开关层时谨慎考虑。与过孔的寄生电感类似，有寄生电感和过孔的寄生电容。在高速数字电路设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感削弱了旁路电容的贡献，降低了整个电力系统的滤波效果。
采用氧离子轰击，来控制氧化物的生长，以便生成金红石相。此外，PIII处理后的LTI碳材料碳材料，其生物相容性也有了极大的提高，用此材料植入活体，其血小板密度大大减少。这可能是由于注入氮以后，形成了CN表面层的缘故。到目前为止，这些很有希望的材料，还没有应用到常规的手术中，其中许多阻碍因素。
电源越大，等离子体能量越高，对物品表面的轰击力越强；在功率相同的情况下，处理的产品数量越少，单位功率密度越大，清洗效果越好，但可能会造成能量过大、变色或烧板。三、等离子刻蚀机电场分布对清洗效果和物品变色的影响等离子体清洗机中等离子体电场分布的相关因素包括电极结构、蒸汽流向和金属制品放置位置。
影响表面改性的因素
在等离子体处理过程中，影响表面改性的因素化学变化会引入含氧的极性基团，例如羟基。, 羧基等。这些活性分子具有时间敏感性，易与其他物质发生化学变化，处理后表面能的保留时间难以确定。气体、功率、加工时间、放置环境等因素都会影响材料表面的老化。 FPC产品清洗后的验证时间如下。 1周（接触角测量数据证实，接触角值越小达因值越高）。新型吸尘器性能稳定，性价比高，操作简单，使用成本极低，维护方便。
反应条件为常温常压，影响表面改性的因素反应器结构简单，可同时排除混合污染物（某些情况下有协同效应），无二次或二次污染物。从经济可行的角度来看，低温等离子体反应器本身具有单一紧凑的系统结构。从运行成本来看，微观上放电过程只是提高了电子温度，离子温度基本不变，所以反应系统可以保持低温，能量利用率高。设备可以保持低位。冷等离子体技术应用范围广泛，气体流量和浓度是气态污染物处理技术应用的两个非常重要的因素。
