低温等离子体的能量一般为几到几十个电子伏特（电子0到20 eV，蚀刻电路板化学方程式离子0到2 eV，半稳态离子0到20 eV，紫外/可见光3到40 eV），但CF键的PTFE 的键能为 4.4 eV，CC 键的键能为 3.4 eV。从此可以事实证明，冷等离子体的能量高于这些化学键的能量。这足以破坏聚四氟乙烯表面的分子键，蚀刻等一系列物理化学反应在此交汇。 - 发生链接和移植。
B 适用部位：所有工业材料、普通金属、玻璃、陶瓷。等离子蚀刻是一种各向异性蚀刻技术，蚀刻电路板的离子方程式可确保蚀刻图案选择性、特殊材料和蚀刻一致性（效果）。真空等离子清洁器的等离子蚀刻涉及同时基于等离子的物理蚀刻和基于反应基团的化学蚀刻。
等离子蚀刻中等离子清洗机专用气体的使用：先进逻辑芯片的完整制造过程涉及数千个独立的过程，蚀刻电路板化学方程式并使用大约 100 种不同的气体材料。
由于所有半导体湿法刻蚀系统都是各向同性刻蚀，蚀刻电路板的离子方程式因此氧化层和金属层的刻蚀宽度接近垂直刻蚀宽度。深度。结果，上层光刻胶的图案与下层材料的图案存在一定的差异，无法实现高质量的图案转移和复制。因此，随着特征尺寸变得更小，该过程在图案转移中基本上已经过时了。。湿法蚀刻系统过程中涉及的步骤：湿法工艺系统提供受控的化学滴落功能，进一步增强了从基板表面去除颗粒的能力。同时SWC和LSC都有跌落测试系统，可以节省大量化学试剂。
蚀刻电路板化学方程式
这种高度电离的宏观中性气体被称为等离子体。等离子清洗是等离子表面改性的常用方法之一。等离子刻蚀机的主要作用如下。 (1)等离子刻蚀机有大量离子、激发分子、自由基等活性粒子，能影响样品表面，但不能。它不仅去除了原有的污染物和杂质，而且产生了蚀刻效果，使样品表面变粗糙，形成许多小坑，增加了样品的表面。改善固体表层的保湿。 (2) 激活键能量和交联功能。
等离子体去除棉纤维杂质的效果与常规烧碱熔炼相当，但常压等离子体处理更加环保环保。。等离子蚀刻机技术 PTFE 等离子多孔膜 界面粘合性能 表面处理：聚四氟乙烯微孔膜具有化学稳定、耐高温、耐腐蚀、优良的耐水性、疏油性、耐高温、高湿和高耐腐蚀性能。它具有优良的过滤性能。 ，并可广泛用于冶金、化工、煤炭、水泥等行业的除尘过滤。是一种耐高温复合过滤材料的薄膜材料。
高能电子与乙烷分子发生弹性和非弹性碰撞。取决于高（3-26）能电子的能量，碰撞增加了乙烷分子的动能或内能，破坏了乙烷的CH和CO键并产生各种自由基。 C2H6 + e * → C2H5 + H + e (3-27) C2H6 + e * → 2CH3 + e (3-28)根据表 3-1 中的化学键解离能数据，反应方程式（3-28）（CC 键断裂）不仅仅是一个反应。
示例：H2 + e- → 2H * + eH * + 非挥发性金属氧化物 → 金属 + H2O从反应方程式可以看出，氢等离子体可以去除金属表面的氧化层，清洁金属表面。化学反应。物理清洗：表面反应以物理反应为主的等离子清洗。也称为溅射蚀刻 (SPE)。
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