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在90nm以前的技术工艺中，主要使用等离子清洗设备电容耦合(Capacity Coupled Plasma,CCP)的介质蚀刻机台来进行偏移侧墙的蚀刻。这种设备属于工作在高压力下的低密度等离子体设备，蚀刻均匀性和工艺稳定性相对较差。同时由于离子的发散的方向性,侧墙的侧壁角度的一致性也难以控制。
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