这是电晕处理和静电处理，双氧水对氮化硼表面改性电晕处理设备的电晕处理能力是有限的。因此，出厂前薄膜的最大系数值通常不超过42达因，电晕处理只会引起薄膜表面的物理变化。这种变化会随着时间而改变（达因值减小）。实际胶片在印刷厂实际使用时，胶片表面的达因值可能会下降到40达因以下。同样重要的是，如果打印机需要从薄膜供应商处获得双面电晕处理的薄膜，打印机通常会得到单面薄膜，因此薄膜贴在纸上后，表面达因值低，采用等离子喷涂。
典型的等离子体化学清洗工艺是氧等离子体清洗。等离子体产生的氧自由基非常活跃，双氧水对氮化硼表面改性容易与碳氢化合物反应生成二氧化碳、一氧化碳、水等挥发性物质，从而去除表面污染物。
等离子清洗机是否可以去除表面油污：等离子清洗机、表面改性、蚀刻活化装置、等离子表面活化/清洗、等离子后键合耦合、等离子蚀刻/活化、等离子脱胶、等离子广泛应用于涂料（在某些情况下） ）。由于等离子灰化和表面改性等等离子处理可以提高材料表面的润湿性，双氧水对氮化硼表面改性因此可以对各种材料进行涂层、蚀刻、印刷等，同时去除有机污染物、油和油脂，可以增加粘合强度。
低温等离子体电源氢等离子体原位清洁硅衬底表面：硅表面清洁技术由衬底装人淀积系统之前的非原位表面清洁和外延前在淀积系统中的原位清洁两部分所组成。目前已在广泛使用的碱性和酸性双氧水清洗液能除去沾污在硅片表面的绝大多数金属离子及含碳基团，双氧水对氮化硼表面改性并形成一层几乎无碳的薄氧化层，这一薄氧化层起着十分重要的作用，它使得由大气中和系统中的含碳基团对硅表面的沾污降到低限度。。
双氧水对氮化硼表面改性
与压力蒸汽灭菌、环氧乙烷灭菌等传统灭菌方式相比，过氧化氢等离子灭菌具有灭菌温度低、灭菌周期短、灭菌后灭菌器无残留、设备操作简单、占用空间小、对工作场所条件要求宽松等特点，在一些不耐热、不耐湿的手术器械，特别是内镜手术器械的灭菌中发挥着不可替代的作用。因此，双氧水等离子低温灭菌器受到各级医疗机构的欢迎。
在高频电场的作用下，气态过氧化氢激发变成等离子态过氧化氢。蒸汽和等离子结合使用对临床医疗器械进行消毒。双氧水低温等离子灭菌器可在低温（50&PLUSMN；5℃）和低压条件下对物品进行灭菌，特别适用于对湿热敏感的医疗器械的灭菌。过氧化氢等离子灭菌工艺环保无污染。杀菌过程中散发出极少的氧气和水蒸气，对环境无害，不需要外部通风或换气。
蚀刻速度相当快，但在图案复杂密集的区域，产生的副产物不易挥发，而且等离子蚀刻机本身的等离子蚀刻气体聚合物很重，蚀刻容易在由于该现象和图案外观的劣化，需要进一步改进CH4和H2的气体组合，使其成为工业上适用的铟磷化蚀刻方法。据文献报道，以氯气为主要刻蚀气体的磷化铟低温刻蚀存在着刻蚀速度慢、在低温条件下副产物难以去除的问题。使用氯气蚀刻InP对温度非常敏感，温度越高，蚀刻速度越快。
但国内外文献并未报道结前等离子清洗工艺对钝化膜和芯片电性能的影响。在等离子清洗过程中，以功率、时间、清洗时间为工艺变量，发现特定芯片的聚酰亚胺钝化膜的褶皱和电性能现象，明确控制手段，有效。的混合集成电路。清洁工作。等离子清洗对钝化膜形貌的影响。在线等离子清洗采用自动清洗方式，由于等离子清洗后设备表面干燥，无需再次加工，提高了整条加工线的加工效率，操作人员远离增加。
双氧水对氮化硼表面改性
芯片暴露在等离子体中会造成栅极电荷和电应力损伤，表面改性技术参考文献而紫外线、高能粒子会造成栅极边缘氧化损伤[，这些都会影响芯片的性能和长期使用的可靠性。然而，国内外尚无文献报道粘结前等离子清洗工艺对芯片钝化膜性能的影响。过程中等离子体清洗、功率、时间和清洗时间作为过程变量,聚酰亚胺钝化膜起皱和电气性能的变化找到特定的芯片,和定义的控制措施,可以有效地指导混合集成电路的等离子体清洗工作。等离子体清洗对钝化膜形态的影响。
铝型材是国民经济和国防建设的重要材料之一。对铝及其合金的表面改性和强化具有重要意义。以往的表面强化方法主要是阳极氧化法。经等离子清洗机处理后，双氧水对氮化硼表面改性提高了外部强度和耐腐蚀性能。铝的表面阳极化处理通常在酸性溶液中进行，镀膜率低，膜层强度低。在工业级硅酸钠电解液上，利用交流电压进行等离子体微弧氧化铝。该反应可在铝表面形成非晶陶瓷膜。电压越高，成膜速率越快。陶瓷膜具有较高的强度和较强的抗碱腐蚀性能。
