此外，铜表面附着力难做电路板的BGA和组件安装的其他区域需要清洁的铜表面，残留物的存在影响焊接的可靠性。采用等离子体去除BGA区残留物，以空气为气源进行等离子体清洗。实际应用证明了其可行性，达到了清洗的目的。。在等离子体表面处理,粒子的能量通常是几个到十电子伏特左右,比聚合物材料的键能大得多(十几个电子伏特),它可以打破化学键的有机大分子,导致新键能,但远低于高能辐射,它只涉及材料的表面，不影响基体的性能。
在目前典型铜互连工艺中，铜表面附着力难做铜的上表面会有一层电介质阻挡层SiCON来阻挡Cu扩散和作为蚀刻停止层，所以铜结构中电迁移主要沿Cu与电介质阻挡层SiCON的界面进行。在电介质阻挡层沉积之前使用等离子体清理铜的自氧化层并将铜表面硅化能有效地改善EM，在铜表面覆盖能固定铜离子抑制其扩散的合金是另一种大幅度改善EM的方式，例如沉积一层很薄的Co或者CoWP。电迁移的两种测试结构，分别为上行电迁移和下行电迁移结构。
用于晶圆级封装预处理的等离子体清洗机晶圆级封装(WLP)是先进的芯片封装方式之一，铜表面附着力难做即整片晶圆生产出来后，直接在晶圆上进行封装和测试，然后将整片晶圆切割成单个晶粒；电气连接部分采用铜凸点代替线键的方法，因此不存在填线或填胶工艺。WLP预处理的目的是去除无机物，减少氧化层，增加铜表面粗糙度，提高产品的可靠性。
冲击式二氧化碳激光要注意的是加工盲孔时,激光只能发射至铜箔表面,对表面的有机物完全不必去除,为了稳定清洗铜表面,应以化学蚀刻或等离子体蚀刻作为后处理。
铜表面附着力差怎么解决
如果铜电极表面没有CuO，只有Cu原子，基本不会观测到铜进入电介质，所以CMP时研磨液的选择、CMP后铜表面清洗、在H2环境下还原CuO、隔绝水汽以避免水氧化Cu都对low-k TDDB非常关键。
等离子处理可以很好地去除干膜残留物。此外，在电路板上安装元件时，BGA等区域需要干净的铜表面，残留物的存在会影响焊接可靠性。等离子用于去除 BGA 区域的残留物，空气用作等离子清洗的气源。实际应用证明了其可行性，达到了清洗的目的。。采用等离子表面处理技术，粒子的能量通常为数至10电子伏特，远高于高分子材料的结合能（数至10电子伏特），使有机聚合物的化学键断裂。
2.严格遵守使用条件机械设备的使用条件在设计时就确定了。如果设备严格按照使用条件使用，很少会出现故障。例如，电压、速度、温度和安装条件都是根据设备的特点来确定的。3.使设备恢复正常一个装置即使具备了基本条件和有保障的使用条件，也很难做到尽善尽美，因此设备也会变质失效。所以让隐性恶化变得明显，让它回到正常状态。这意味着我们要经常对设备进行正确的检查和预防性维修。
即便雇佣专家和学者等专业人士作为顾问，由于他们不一定有技术商品化方面的经验，因此也很难做出投资决定。在这种情况下，资本所.有者作为投资主体时，虽然投资决策有充分的资本支持和市场经验支持,但在技术支持上有明显的缺陷。反过来,以技术成果所有者为投资主体运作时,虽然投资决策有充分的技术支持,但在资本和市场两个方面明显地缺乏支持。
铜表面附着力难做
即便雇佣专家和学者等专业人士作为顾问，铜表面附着力差怎么解决由于他们不一定有技术商品化方面的经验，因此也很难做出投资决定。在这种情况下，资本所.有者作为投资主体时，虽然投资决策有充分的资本支持和市场经验支持,但在技术支持上有明显的缺陷。反过来,以技术成果所有者为投资主体运作时,虽然投资决策有充分的技术支持,但在资本和市场两个方面明显地缺乏支持。
目前主流的解决方案是等离子清洗技术;利用等离子清洗机解决了糊盒口粘接开胶问题，铜表面附着力难做优点十分明显。
