但是，外延片plasma蚀刻机硅片尺寸越大，对微电子工艺设计、材料和技术的要求就越高。 2.单晶生长法划分通过直拉法制造的单晶硅称为CZ硅（片），通过磁控管直拉法制造的单晶硅称为MCZ硅（片）。这种方法称为FZ硅（芯片），硅的外延层通过外延生长在单晶硅或其他单晶衬底上，称为外延（硅片）。三是硅片与圆片的区别。未切割的单晶硅材料是称为晶体的薄晶片。
目前广泛使用的石墨烯制备方法主要有微机械剥离法、外延生长法、氧化还原法、化学法等。几种气相沉积方法。其中，外延片plasma蚀刻机微机械剥离法生产效率低，外延生长法可以获得高质量的石墨烯，但对设备要求高。虽然化学气相沉积法和氧化还原法可以大规模制造，但化学气相沉积法生产的石墨烯的厚度难以控制，在沉淀和迁移过程中只有一小部分碳转化为石墨烯。过程很复杂。
牢固附着环保安全的水性油墨。 2.使用等离子清洗机在高速和高能星冲击下对橡胶进行表面处理。这种材料结构的表层可以向外延伸，外延片plasma表面清洗机同时在材料表层上形成特定的层，因此橡胶可以用于印刷、涂胶、涂胶等操作。使用等离子清洗机进行橡胶表面处理具有操作方便、不含有害物质、清洗效果好、效率高、运行成本低等优点。使用等离子清洗机在材料表面发生各种物理和化学变化，它被腐蚀，并形成高密度的交联层，从而产生亲水性、粘合性和染色性。
优点是表面电子能量比射频能量小两个数量级，外延片plasma蚀刻机使其对目标无破坏性。。磷化铟不仅可以作为外延层的基材，还可以作为沟道材料和电极材料，因此相对于其他3-5组材料，对铟的等离子体刻蚀研究正在取得进展。...等离子蚀刻清洗机磷化材料。用 CH4 和 H2 蚀刻磷酸盐钢是一种早期的方法。该方法可用于大面积、大尺寸的磷化铟蚀刻。
外延片plasma蚀刻机
从器件集成的角度来看，鳍片损耗是不可避免的，因为必须清洁鳍片和栅极交叉角处的多晶硅，以确保后续外延生长的效果。。等离子表面处理的优点：等离子表面处理设备的处理系统是材料表面活化的一种形式，适用于高效、准确的处理效果，各种生产线和生产环境，节能、环保、节省空间和低成本运行。
低温等离子电源氢等离子体原位清洗硅衬底表面：硅表面清洗技术由两部分组成：衬底装入沉积系统前的外表面清洗和沉积过程中的原位清洗。配置外延前的系统。广泛使用的碱性和酸性过氧化氢清洗液可以去除硅片表面大部分被污染的金属离子和含碳基团，形成一层几乎不含碳的薄氧化层。这在最小化中起着非常重要的作用。大气和系统中的含碳基团对硅表面的污染。。
例如，在印刷电路中，等离子蚀刻技术可用于处理绝缘层的表面并提高其性能。等离子蚀刻机加工生物聚合物材料，选择性地引入新基团，润湿表面，增加表面电位，提高聚合物的生物相容性，它们的表面能，极性组分，本体基团。增加表面的比例和表面的微观结构。等离子蚀刻处理可让您获得具有不同化学成分的表面，以提高生物相容性。在等离子蚀刻技术的帮助下，通过增强涂层附着力来增强医疗设备组件的稳健性。
21世纪初，主流的等离子刻蚀机都是洋枪洋枪，1995年美国政府开始对半导体设备进行出口管制。这意味着禁止在中国大陆销售先进的蚀刻机。 ..国内等离子清洗机蚀刻设备制造行业始于2003年。北方微电子公司（成立于2003年）致力于硅蚀刻机的开发，南油中微半导体公司（成立于2004年）开始蚀刻介电材料。两家公司都有大量的海归专家。
外延片plasma表面清洗机
等离子蚀刻机相对于湿法清洗的优点是：用等离子蚀刻机清洗后，外延片plasma表面清洗机清洗后的物体非常干燥，无需再次干燥即可送至下一级。是一种绿色清洁方法，不含三氯乙烷等有害污染物，有益于环境保护。与激光等直射光不同，使用高频电磁波的等离子体不具有很强的方向性，因此可以深入物体内部。由于是在清洁内部，因此无需过多考虑被清洁物体形状的影响。与氟利昂的效果（效果）相当的清洁效果（水果）优于这些难洗部位的清洁效果。
每个区域的清洁程序都有特定的清洁。随着工艺、技术的发展和自动化清洗设备的出现，外延片plasma表面清洗机清洗也在朝着更高（效率）更快的方向发展。工业清洗根据细度要求可分为一般工业清洗、精密工业清洗、超精密工业清洗。根据清洗方式不同，可分为物理清洗和化学清洗。根据清洗介质的不同，可分为湿洗和干洗。无论工业清洗如何分类，自动化、环保、高效的清洗方式是工业清洗行业需要的发展方向。等离子清洗机是一种物理清洗机。
