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等离子表面处理对材料表面的刻蚀作用 ,等离子体中的大批量正离子、激发态分子和氧自由基等特异性颗粒效用于固态样品表面，nasa 给出不同温度下在不同高度等离子体的碰撞频率分 布图可以去除表面原有的污染物和杂质。这个过程会产生腐蚀效用，可以使样品表面粗糙，形成许多细小的坑洼，添加样品表面的粗糙比例，提高固态表面的附着力和渗透性。 硅胶广泛应用于日常生活和工业生产中。硅胶特殊的空间结构使其表面的湿气性能和粘结性都很差，因此在印刷、粘合、涂布前都要进行预处理。
那么低温等离子清洗机的表面处理技术和火焰处理有什么区别呢？低温等离子清洗机的等离子温度不高，nasa 给出不同温度下在不同高度等离子体的碰撞频率分 布图可以对容器表面进行等离子清洗、等离子活化、等离子粗化，有效提高材料的表面能，而且油墨和青铜处理方法更安全。这是一种环保的方法。接下来，我们验证了配备常压等离子清洗机的半成品 PP 塑料乳液保温瓶。我们首先选择了直接油墨印刷的样品，但在随后的 100 格测试中，该样品未能很好地满足要求。 ..。
(1)沟道通孔硬掩膜蚀刻随着容量的提升，nasa 给出不同温度下在不同高度等离子体的碰撞频率分 布图控制栅层数由开始的24层逐步提升到48层，更多层数的器件仍在开发过程中。而沟道通孔蚀刻需要一次性蚀刻穿所有的SiO2/Si3O4薄膜对。相对标准逻辑工艺的小于200nm的接触孔深度(45nm工艺节点)，3D NAND中沟道通孔深度在400nm以上(早期24层3D NAND结构)。如果要实现128层控制栅层，则沟道通孔则超过lμm。
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目前， 实验室中常用的大气压气体放电有辉光放电（glow discharge)、介质阻挡放电(dielectric barrier discharge）、电晕放电(corona discharge）、滑动弧放电(gliding arc discharge）、火花放电（spark discharge）、射频等离子体（radio-frequency plasma) 及微波等离子体（microwave plasma）。
作为参照的标准逻辑工艺中接触孔深宽比一般为4~7，而3D NAND的接触孔深宽比普遍在10以上，且随着控制栅层数上升而上升。相应地，等离子表面处理机蚀刻机生产厂商开发了高深宽比蚀刻(HAR Etch）机型以满足3D NAND的工艺需求。通常使用等离子表面处理机等离子清洗机电容耦合等离子体蚀刻（CCP）机型完成此工艺。
举例来说，对于一块厚度为50Mil的PCB板，如果使用内径为10Mil，焊盘直径为20Mil的过孔，焊盘与地铺铜区的距离为32Mil，则我们可以通过上面的公式近似算出过孔的寄生电容大致是： C=1.41x4.4x0.050x0.020/（0.032-0.020）=0.517pF 这部分电容引起的上升时间变化量为： T10-90=2.2C（Z0/2）=2.2x0.517x（55/2）=31.28ps 从这些数值可以看出，尽管单个过孔的寄生电容引起的上升延变缓的效用不是很明显，但是如果走线中多次使用过孔进行层间的切换，EDA365电子论坛提醒设计者还是要慎重考虑的。
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圆滑且较大的斜面开口比直角且较小的开口更有利于通孔中金属阻挡层覆盖并使电流密度分布更均 匀，等离子体论坛减小了斜面处电流密度梯度，因此具有更优异的上行EM性能。Zhou等研究了通孔形貌与上行EM早期失效的关系。在两种蚀刻机台的DD蚀刻工艺下，都观察到了上行EM早期失效，在分布图上体现为数不多的飞点，通过切片发现这些样品早期失效都来源于通孔内部斜面处的金属阻挡层覆盖不够均匀。
