等离子体中的电子从电场中获取能量，表面活化剂的实质作用转化为自由的高能电子，与气体中的原子和分子碰撞，产生激发和电离，产生激发分子，但原子、离子和自由基非常不稳定.化学反应它具有很强的性质，容易发生通常不可能发生的反应，导致新化合物和加工材料失重。在此过程中，表面层被蚀刻以产生新的性能（例如减重、吸湿、加深、粘合等）或交联、接枝和聚合。等离子气体和普通气体具有非常不同的性质。
低温等离子体表面活化系统是一种对固体表面层进行处理的干洗方法，表面活化剂的实质作用新产品将洁净的工作气体活化成等离子体，然后与物体表面层接触，形成有机化学或物理反应，达到实际的清洗效果。它是超净领域的高端清洗，主要清洗非常细小的氧化性物质和污染物，通常是最后的清洗过程。
为了对比在等离子清洗机表面处理前后的亲水效果，磷化常用的表面活化剂有我们挑选了片材、薄膜等几种样品进行了处理，相关数据如下：3-1纯PTFE聚四氟乙烯片材等离子处理前后的水滴角对比3-2陶瓷填充PTFE聚四氟乙烯薄膜等离子处理前后的水滴角对比3-3石墨填充PTFE聚四氟乙烯薄膜等离子处理前后的水滴角对比。等离子体是由离子、电子和中性粒子组成的一种呈现电中性物质集合体。
等离子体清洗设备中氧等离子体对AlGaN/GaN HEMT表面处理的影响；氮化物（GaN）是一种宽禁带半导体材料，表面活化剂的实质作用以其良好的物理、化学和电学性能成为目前研究最多的半导体材料。它是继第一代半导体材料硅（Si）和第二代半导体材料砷化物(GaAs)、磷化物（GaP）和磷化铜（InP）之后迅速发展起来的第三代半导体材料。
表面活化剂的实质作用
plasma清洗设备氧等离子体对AlGaN/GaN HEMT表面处理的影响：宽禁带半导体材料氮化稼(GaN)，以其良好的物理化学特性、电学特性成为目前研究多的半导体材料，它是继一代半导体材料硅(Si)和第二代半导体材料砷化嫁(GaAs)、磷化嫁(GaP)、磷化铜(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体材料。
等离子体清洗机技术的典型应用有：半导体/集成电路；氮化镓；氮化铝/氮化镓；砷化镓/砷化铝镓；砷化镓；磷化铟，镓/铟镓（InPingGaAs/InAlAs）；硅；硅锗；硅化硅陶瓷(Si3N4)；硅的溴化氢；硒化锌；铝；铬；铂金；钼；铌；铟；钨；氧化铟锡；钛酸铟铅；塑料/高分子材料；聚四氟乙烯；聚甲醛；聚苯并咪唑；聚醚醚酮；聚酰胺(PFA)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺等。。
大气直喷等离子体表面处理设备可与机械自动化生产线配套使用。在低温等离子体中，由于各种元件具有高效能的活化作用，质量好的等离子体表面处理设备厂家可以去除附着在材料表面的污渍。。适合单晶硅晶圆级和3D芯片封装应用。等离子体应用包括除灰、灰化/光诱导防腐剂/聚合物剥离、介质腐蚀、芯片膨胀、有机物去除和芯片脱模。
等离子清洗机就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，从而实现清洁的目的； 等离子清洗机活化功能：当等离子体与被处理物体表面相遇时，使材料表面产生了化学变化和物理作用，其表面分子链结构得到了改变，建立了羟基、羧基等自由基团，这些基团对各种涂敷材料具有促进其粘合的作用，在粘合和油漆应用时得到了优化。
磷化常用的表面活化剂有
环境工程污水的三种低温等离子处理方法利用低温等离子技术处理环境工程污水，磷化常用的表面活化剂有在高能电子发射、臭氧氧化、紫外线分解的综合作用下，可以达到更好的处理效果。高能电子作用：冷等离子体技术在污水处理过程中产生大量高能电子。与废水中的原子和分子碰撞，将能量转化为基质分子的内能，通过激发、分解、电离等多个过程被激活。废水。通过破坏废水中的分子键并与游离氧和臭氧等反应物反应形成新化合物。
在大气压非平衡等离子体的作用下，表面活化剂的实质作用C2H6在CO2气氛中进行氧化脱氢，生成C2H2和C2H4。以CeO2/Y-Al203为催化剂，在973K的反应温度下可以进行CH6的脱氢，反应温度和反应气相比对反应结果影响较大。在等离子体和催化剂共活化CO2氧化C2H6时，催化剂性能对反应有明显的影响。金属氧化物催化剂有利于乙烷转化为C2H2和C2H4，金属催化剂可以提高产物中C2H4的比例。。
