日本研究小组对35族化合物的中性粒子蚀刻进行了较多的研究。他们不仅使用了这种非常先进的蚀刻技术,软质pvc附着力而且还使用了有机材料作为蚀刻的掩膜。本来,有机面罩的软质材料在等离子体轰击下容易变形、坍塌,产生缺陷,导致图形定义的偏差。这也是集成电路的加工从软的单层掩模材料逐渐向硬的多层掩模材料转变的原因。但在中性粒子蚀刻技术中,更柔软的有机掩模再次出现。由于中性粒子主要依靠干法化学蚀刻,电子温度极低,能有效保护掩模材料。

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影响等离子体清洗效果的因素:原理与实现方法等离子体清洗是依靠特定物质等离子体中的高能粒子撞击被清洗物体表面,通过物理冲击(如氩等离子体)或化学反应(氧等离子体)来达到去除物体表面污渍的功能。目前大多数等离子清洗系统是通过将反应室的压力降低到Pa以下来获得等离子体,而不需要以一定的速度通过适当的气体,在常压下启动电源。二、影响清洗效果的主要因素1。

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