在气相中或材料表面上的单体会被分解和激活并形成新的分子活性基团迁移到表面，影响薄膜附着力的因素在那里吸附并脱离气相。每个吸附都代表了一个沉积的过程。被吸附的分子随后在表面进行离子或自由基聚合交联，形成一层薄膜。在薄膜形成的过程中，新形成的表面原子和分子会受到来自气相基团的轰击和等离子体中的电磁辐射。经典的聚合物具有活性结构，如允许互相键合的双键等。
目前关于微波等离子体的研究主要分为微波等离子体发生和应用研究两大类，影响薄膜附着力的因素其中前者主要包括微波等离子体装置的设计研发和微波等离子体特性表征，后者则以微波等离子体技术在发射光谱光源、薄膜沉积及净化废气等方面的应用研究为主。
该工序在孔眼清洗处理过程中，薄膜附着力的测量单位能很好地解决上述干式加工难题。在印刷线路板生产过程中，用plasma除去非金属残留是一种较好的选择。画图传递流程中，贴压干薄膜后的印刷线路板经过曝光度后，需要进行定影刻蚀，除去不用湿膜保护的区域，利用显影液将未曝光度的湿膜进行刻蚀，使未曝光度的湿膜被刻蚀掉。在这类定影流程中，由于定影缸喷嘴压力不均匀，局部未曝光度的湿膜未完全溶解，形成残留物。
这是因为焊接表面存在颗粒污染物和有机氧化物，薄膜附着力的测量单位导致焊球分层和焊球脱落，严重影响BGA封装的可靠性。采用Ar和H2的混合气体进行几十秒的在线式等离子清洗，可以去除焊接表面的污染物，降低焊点失效的概率，提高封装的可靠性。随着微电子封装向小型化方向发展，表面清洗的要求越来越高，在线等离子清洗设备的诸多优点，将使它成为表面清洗工艺最好的选择方案之一，作为最有发展潜力的清洗方式，将被应用于越来越多的领域。
影响薄膜附着力的因素
除离子外，低温等离子体中大多数粒子的能量都高于这些化学键的键能。但其能量远低于高能放射线，因此只涉及材料表面（几纳米到几微米之间），不影响材料基体的性质。但在实际使用中，能量过高或长期作用会损伤材料表面，甚至破坏材料基体的固有性能。通过低温等离子体表面处理，使材料表面发生多重物理化学变化，或发生刻蚀使表面粗糙，通过形成致密交联层或引入含氧极性基团，提高亲水性、附着力、可染性和生物相容性。
在不破坏晶圆芯片及其他所用材料的表面特性、热学特性和电学特性的前提下，清洗去除晶圆芯片表面的有害沾污杂质物，对半导体器件功能性、可靠性、集成度等显得尤为重要；否则，它们将对半导体器件的性能造成严重影响，极大地降低产品良率，并将制约半导体器件的进一步发展。
传统的挥发性有机污染物（VOCs）降解处理方法，如吸收、吸附、冷凝、燃烧等，对于低浓度VOCs难以实现，光催化降解VOCs容易使催化剂失活。低温等离子体处理VOCs可以不受上述条件的限制，具有潜在的优势。然而，等离子体是一门包括放电物理、放电化学、化学反应工程和真空技术在内的交叉学科。因此，目前能够成熟掌握这项技术的单位很少。利用低温等离子体技术处理废气的宣传大多不是真正的低温等离子体废气处理技术。
在前沿研究领域，宽带隙半导体仍处于实验室开发阶段。注：阿尔法等离子微波等离子清洗/脱胶设备用于相应宽禁带半导体的研发制造单位，为相关工艺提供技术支持。
影响薄膜附着力的因素
三、等离子体表面处理仪等离子体鞘层现象由于等离子体开始时处于准电荷平衡状态，影响薄膜附着力的因素如果在等离子体中挂有不导电的绝缘衬底，衬底中的离子和电子器件就会向衬底移动，单位时间内到达基板的电子设备的数量远远大于离子的数量。到达碱的电子部分与离子复合，其余都是离子，所以负电荷在碱的表面积累，形成了碱负表面潜力。这个负电势排斥随后的电子并吸引正离子。当衬底的负电位达到一定水平时，离子流变为电子流。
设备的稳定性是保证生产过程稳定性和重复性的关键因素之一。等离子清洗机是一种多功能等离子表面处理设备，薄膜附着力的测量单位通过配置不同部件，可具备表面电镀（涂覆）、蚀刻、等离子化学反应、粉末等离子处理等多种能力。用等离子清洗机/蚀刻机蚀刻多晶硅片非常好。通过配置蚀刻组件，等离子清洗机可以实现蚀刻功能，性价比高，操作简单，从而达到多功能功能。
