提高复合材料的表面涂层性能:复合材料的成型过程需要使用脱模剂，有机硅表面附着力以保证固化后能有效地与模具分离。然而，使用脱模剂难免会使复合材料膜表面残留过量脱模剂，造成待涂表面的污染，界面层薄弱，使涂层在涂装后容易脱落。传统的清洗方法是用丙酮等有机(机)溶剂擦拭表面或打磨后清洗表面，以去除残留在复合件表面的脱模剂。
首先，对有机硅表面的附着力真空泵开始抽吸等离子清洗室内的空气，在等离子清洗室内形成真空环境。随着气体越来越稀薄，分子内力越来越小，分子间距和分子或离子的自由运动距离越来越长。接下来，打开氩气控制阀并用氩气填充等离子清洗室。整个等离子清洗室充入氩气，电极通电，氩气在电场作用下碰撞，形成等离子分解离子。由氩等离子体产生的离子以足够的能量与芯片表面碰撞，从而与有机和颗粒污染物发生反应或碰撞，从而形成去除表面的挥发性物质。
多系统技术可用于防止容易发生的半导体特性的电气损坏和静电问题。此外，对有机硅表面的附着力由于可以根据硅晶片的尺寸产生大气压等离子体，因此即使是最小的等离子体也可以使用。。一般来说，等离子清洗机的清洗过程可以分为两个过程。一般来说，等离子清洗机的清洗过程可以分为两个过程。过程 1 是首先使用等离子体原理去除有机物。当O在激活气体分子后使用时，O3通过与有机物反应达到去除有机物的目的。
表面清洁的解决方法，有机硅表面附着力采用射频电源，在真空等离子体空腔中产生高能、无序等离子体，借助等离子轰击被清理的设备表面，使表面的污染物从设备上脱落，从而达到清理目的。另外，还有一些特殊气体，如四氟化碳(CF4)、六氟化硫(SF6)等，这些气体在等离子表面处理器中的使用对有机物质的蚀刻和去除更为重要。。
对有机硅表面的附着力
氧气为高活性气体，可有效地对有机污染物或有机基材外表进行化学分解，但其粒子相对较小，断键和炮击才能有限，如加上必定份额的氩气，那么所发生的等离子体对有机污染物或有机基材外表的断键和分解才能就会更强，加速清洗和活化的功率。氩气与氢气混合运用在打线和打键工艺中，除添加焊盘粗糙度外，还可以有效去除焊盘外表的有机污染物，一起对外表的细微氧化进行还原，在半导体封装和SMT等职业中被广泛运用。
由于氩分子的尺寸比较大，在表面清洗和活化过程中，在比较电离后产生的粒子后，通常会与活性气体混合。最常见的是氩气和氧气的混合物。氧气是一种高反应性气体，可以有效地化学分解有机污染物和有机基材表面，但其颗粒相对较小，破坏键和冲击的能力有限。加入一定比例的氩气，增加了生成的等离子体对有机污染物或基材表面的化学键和破坏的能力，加快了清洗和活化的效率。
等离子体制造商介绍锗在集成电路中的潜在应用及其刻蚀方法（下）：从笔者的认知来看，高活性蚀刻气体的使用似乎更为关键，无论是氯气的增加还是CHF3的使用都会加速金属构件的蚀刻。但轰击偏压的影响并不关键，除了关键尺寸的差异外，高低偏压下的形貌差异并不明显。
真空等离子清洗机的气路操控首要由工艺气体操控和真空气路操控两大部分组成。工艺气体操控部分常用操控阀有真空电磁阀、止逆阀(止回阀)、气动球阀。真空气路操控部分常用操控阀有高真空气动挡板阀、手动高真空角阀、电磁真空带充气阀。
有机硅表面附着力
在大气压等离子体处理机中，对有机硅表面的附着力等离子体的电子温度仅为1～10eV，因此对电离辐射和复合电离辐射起主要刺激作用。激发态电离辐射是被激发态粒子转移到被激发态原子的低激发态或基体态时的电离辐射。辐射跃迁前后，电子激发的电离辐射处于束缚态，电离辐射激发频率由两种能量的能量差决定。混合电离辐射是指自由电子被离子俘获，合成低价离子或中性离子发射电磁波的过程。电子在复合辐射跃迁过程中由自由态转变为束缚态。
现低温等离子体广泛应用于多种生产领域。 在使用等离子去胶机（等离子清洗机）中，有机硅表面附着力我们都知道，去胶气体为氧气。把需要清洗的晶片放入真空等离子去胶机反应系统中，受高频及微波能量效果，电离发生氧离子、游离态氧原子、氧分子和电子等混合的等离子体形成辉光柱。具有强氧化才能的游离态氧原子在高频电压效果下与光刻胶膜反应，最终完成。
